DDR4-2666 Unbuffered SO-DIMM

TS2666HSB-8G

  • 8GB
  • Notebook

創見DDR4 SO-DIMM記憶體模組採用頂級顆粒與元件所製而成,通過縝密的實驗室測試,展現高效能與高穩定性。為因應小型機殼和輕薄筆電有限的散熱空間,創見DDR4 SO-DIMM記憶體使用1.2V超低額定電壓,不僅能減少熱能產生,還能降低整體能源消耗,達到節能減碳的目標。

規格

記憶體模組

RAM種類
DDR4
DIMM種類
Unbuffered SO-DIMM
速度
2666
時序
CL19
容量
8GB
Rank
1Rx8
DRAM
1Gx8
電壓
1.2V
Pin
260 pin
電路板高度
1.18 吋

操作環境

工作溫度
0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)

保固

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